目前全球仅4家厂商，能够制造光刻机，分别是荷兰的ASML，日本的尼康、佳能，和上海的微电子。

(资料图片)

从技术水平来看，ASML>尼康>佳能>上海微电子。如下图所示，ASML的光刻机能够达到3nm的精度了，而尼康的主要在28nm及以上，而佳能、上海微电子的在90nm以上。

再给大家一个数字，这是某机构统计的，2021年全球半导体前道光刻机的销售情况，从这张表可以看出来，小米7nm的EUV光刻机，ASML全部包揽。

在45-7nm的光刻机上，仅有尼康、ASML能够推出，尼康也就是打酱油，仅卖出4台，另外的81台全是ASML的。

直到180nm级别的KrF光刻机上，佳能才参与进来，而中国厂商在前道光刻机的出货量基本为0（也可能是没有统计到），但不否认，其份额是可以忽略的。

目前硅基芯片被认为发展到极限了，而硅基芯片需要EUV光刻机，中国基本上在EUV光刻机，不太可能追得上了，所以很多人表示，在当前的光刻机技术上，既然我们这么落后，那么就应该换道超车了，在新的技术上，赶上来呗。

但是，要我说实话，从目前已知的光刻机新技术来看，中国还是相对落后的。

目前已知的光刻机新技术，有三种，并且这三种技术也被大量的厂商在研究。

第一种是NIL技术，也就是纳米压印，将芯片的电路板，像打印机一样，打印到硅片上，能够比EUV光刻机精度更高，功耗更低，成本更低。

目前在这一种技术上，佳能表现最突出，申请的专利也最多，并且与铠侠合作，已经有成熟的产品了，我们没有厂商表现很突出。

第二种技术是电子束光刻机(EBL)，用高能电子束来替代极紫外线，电子对应的波长只有0.04纳米，加工精度就比EUV又高了不少。

这种技术，目前是美国表现最为突出，美国厂商Zyvex还搞了一台成熟的产品，并且制造出了0.768nm的芯片，不过目前这种光刻机效率低，无法大规模使用，但至少走在世界前列。

第三种技术称之为“自组装（DSA）光刻技术”，利用新的化学材料，让电路图直接在硅片上生成，不需要光刻。

目前在这一块表现突出的，是欧洲、美国的研发机构，像比利时微电子中心、麻省理工学院，都建立了自组装产线进行研究，专利也申请的最多。

实话实说，目前中国的厂商，在这三种被大家认为大有未来的光刻机技术、专利上表现都不太突出，所以说是落后了也并不过份。

当然，任何技术没有成为真正的生产力之前，都有可能是无用功，这三大技术也不例外，现在被看好，未来也可能一事无成。

但能够在这些前沿技术上发力，表现突出，也是实力的一种表现，所以中国厂商真的要加油，不管押注什么技术，都得赶紧研发了，否则落后又要挨打啊。

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